1. Inicio
  2. Productos
  3. Diodo láser de cable coaxial (TOSA análogico activo)
  4. Diodo láser de pulsos FP (Para sistemas OTDR)

Diodo láser de pulsos FP (Para sistemas OTDR)

Diodo láser de pulsos FP (Para sistemas OTDR)
Diodo láser de pulsos FP (Para sistemas OTDR) Diodo láser de pulsos FP (Para sistemas OTDR)
Comentarios

El diodo láser de pulso FP (Para sistemas OTDR) puede operar tanto con corriente directa como en modo pulsado. Presenta ventajas tales como baja corriente umbral, gran eficiencia de salida y gran capacidad de transmisión de corriente. Esta serie de producto puede ser suministrada salida de fibra óptica multimodo opcional. Se utiliza principalmente en sistemas OTDR así como en sistemas de prueba y de comunicación basados en la retrodispersión Raman.

Características
  • Alta potencia de salida Pf = 60 mW @ IFP = 400mA
  • Longitud de onda larga λC = 1550 nm
  • Monitor PD incorporado
  • Condiciones pulsadas: Ancho pulsado (PW) = 10 μs, Operación = 1%
Aplicaciones
  • Detección
  • Telémetro láser
Calificaciones máximas absolutas
Parámetros Símbolo Min. Max. Unidad
Corriente de avance pulsada IFP - 750 mA
Voltaje inverso VR - 2 V
Voltaje inverso (monitor PD) VRM - 10 V
Corriente inversa (monitor PD) IFPM - 2 mA
Temperatura del caso de operación TC 0 60 ℃
Temperatura de almacenamiento Tstg -40 85 ℃
Temperatura de soldadura por plomo Tsld - 260(10s) ℃
Humedad relativa (sin condensación) RH - 85 %
Características ópticas y eléctricas
Parámetro Símbolol Min. Tip. Max. Unid Notas
Voltaje de avance VFP - - 3.5 V IFP = 400 mA, PW = 10 μs, Operación = 1%
Corriente umbral Ith - 20 35 mA
Potencia de salida óptica de fibra SM Pf 60 - - mW IFP =400 mA, PW = 10 μs, Operación = 1%
Longitud de onda central λc -N 1550 +N nm PW = 10 μs, Operación = 1% ,N=1/2/3
Ancho espectral σ - - 1 nm RMS (−20dB)
Tiempo de subida tr - 0.2 0.5 ns 20-80%
Tiempo de caída tf - 0.2 0.5 ns 80-20%
Corriente del monitor Im 0.05 - - mA VRM = 5V
Descripción del pin
Esquema del paquete

Diodo láser de pulso para sistemas OTDR de 1310nm

(Si los clientes les gustaría saber más acerca de los detalles, por favor haga clic aquí para descargar el siguiente 20-50MW 60-80MW file.)

Esquema del conjunto

Módulo láser de pulso para sistemas OTDR de 1490nm

(Si desea conocer más detalles, por favor haga clic aquí para descargar el siguiente archivo PDF file.)

Características ópticas y eléctricas
Parámetro Símbolo Mínimo Típico Máximo Unidad Observaciones
Voltaje en sentido directo VFP 3.5 V IFP = 400 mA, PW = 10 μs, rendimiento = 1%
Corriente umbral Ith 20 35 mA
Potencia óptica de salida de la fibra Pf 40 60 mW IFP =400 mA, PW = 10 μs, rendimiento = 1%
Longitud de onda central λc 1470 1490 1510 nm IFP = 400 mA, PW = 10 μs, rendimiento = 1%
Anchura espectral σ 4 nm RMS (−3 dB)
Tiempo de ascenso tr 0.5 2.0 ns 10-90%
Tiempo de bajada tf 0.5 2.0 ns 90-10%
Corriente del monitor Im 0.05 2 mA VRM = 5V

Módulos láser de pulso para sistemas OTDR de 1550nm

(Si los clientes les gustaría saber más acerca de los detalles, por favor haga clic aquí para descargar el siguiente 20-40MW 60MW 80MW file.)

Características ópticas y eléctricas
Parámetro Símbolo Mínimo Típico Máximo Unidad Observaciones
Voltaje en sentido directo VFP 3.5 V IFP = 450 mA, PW = 10 μs, rendimiento = 1%
Corriente umbral Ith 20 35 mA
Potencia óptica de salida de la fibra SM Pf 60 mW IFP =450 mA, PW = 10 μs, rendimiento = 1%
Longitud de onda central λc 1530 1550 1570 nm PW = 10 μs, rendimiento = 1%
Anchura espectral σ 4 nm RMS (−3 dB)
Tiempo de ascenso tr 0.5 2.0 ns 10-90%
Tiempo de bajada tf 0.5 2.0 ns 90-10%
Corriente del monitor Im 0.05 2 mA VRM = 5V

Módulo de diodos láser de pulso para sistemas OTDR de 1650nm

(Si desea conocer más detalles, por favor haga clic aquí para descargar el siguiente archivo PDF file.)

Our 1625nm pulse laser modules for OTDR is equipped with high power FP chip with low threshold current and high-efficiency output. Capable of affording high current, the pulsed laser module can operate in dual mode, pulse and direct current. The multi-mode fiber is optional. This laser diode is generally used in the communication and testing system employing OTDR and Raman light reflection principle.

Características ópticas y eléctricas
Parámetro Símbolo Mínimo Típico Máximo Unidad Observaciones
Voltaje en sentido directo VFP 3.0 V IFP = 400 mA, PW = 10 μs, rendimiento = 1%
Corriente umbral Ith 20 35 mA
Potencia óptica de salida de la fibra Pf 40 mW IFP =400 mA, PW = 10 μs, rendimiento = 1%
Longitud de onda central λc 1620 1625 1630 nm IFP =400 mA, PW = 10 μs, rendimiento = 1%
Anchura espectral σ 4 nm RMS (−3 dB)
Tiempo de ascenso tr 0.5 2.0 ns 10-90%
Tiempo de bajada tf 0.5 2.0 ns 90-10%
Corriente del monitor Im 0.05 2 mA VRM =5 V

Módulo de diodos láser 30MW 1650nm para OTDR

(Si desea conocer más detalles, por favor haga clic aquí para descargar el siguiente archivo PDF file.)

Características ópticas y eléctricas
Parámetro Símbolo Mínimo Típico Máximo Unidad Observaciones
Voltaje en sentido directo VFP 3 V IFP = 400 mA, PW = 10 μs, rendimiento = 1%
Corriente umbral Ith 20 35 mA
Potencia óptica de salida de la fibra Pf 30 mW IFP =400 mA, PW = 10 μs, rendimiento = 1%
Longitud de onda central λC 1645 1650 1655 nm IFP = 400 mA, PW = 10 μs, rendimiento = 1%
Anchura espectral σ 4 nm RMS (−3 dB)
Tiempo de ascenso tr 0.5 2 ns 10-90%
Tiempo de bajada tf 0.5 2 ns 90-10%
Corriente del monitor Im 0.05 2 mA VRM =5 V

Como un fabricante y proveedor especializado en China de diodos láser de pulsos FP (Para sistemas OTDR), nuestra empresa también ofrece módulos láser tipo mariposa para detección de gas 8-28mw 1653.5nm, diodos láser tipo mariposa con fibra acoplada y más.

Nombres relacionados
Diodo láser de pulsos | Diodo láser para pulsos de luz | Diodo láser para aplicaciones OTDR

Contáctenos

Wuhan Shengshi Optical Technology Co. , Ltd.

Persona de contacto: Wendy
Skype: Wendy_laser
Tel.: +86-27-87179709
Fax: +86-27-87172995
Móvil: +86-15902779619
E-Mail: wendy@laserdiodedevice.com
Website: www.laserdiodedevice.com